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20nm-4Gb-DDR3-03Samsung Electronics hà annunziatu chì hà appena principiatu a produzzione in massa di novi moduli RAM 6Gb LPDDR3 per i dispositi mobili. A cumpagnia pruducerà novi ricordi operativi cù l'aiutu di un prucessu di produzzione di 20 nm, chì serà riflessu in un cunsumu energeticu più bassu di 10% è un aumentu di u rendiment finu à u 30%. Ogni pin di sti moduli di memoria hà una velocità di trasferimentu di 2,133 Mb/s.

I chips sò ancu più chjuchi di 20% cumparatu cù i moduli previ, se avemu cunsideratu un settore di quattru moduli di memoria vicinu à l'altru. Un settore di quattru moduli di memoria hè cusì capaci di furnisce u telefunu cù 3 GB di RAM, postu chì ogni modulu di memoria furnisce una memoria di 768 MB. Quì si pò vede chì Samsung hà prubabilmente un tempu ancu più longu per svegliate finu à u limitu high-end di 3 GB di RAM, è solu à a fine di l'annu prossimu, pudemu principià à fantasticà nantu à u fattu chì u nostru mobile. I telefoni anu a stessa quantità di memoria operativa chì si trova in i nostri computer.

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* Fonte: Sammyhub

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