Praga, u 20 di marzu di u 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., un capu mundiale in a tecnulugia di memoria avanzata, presenta un almacenamentu NAND 128GB 3bit d'altu rendiment per i dispositi mobili, chì hè basatu annantu à a tecnulugia Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. I flagships trà i telefoni intelligenti sò digià cambiatu à l'almacenamiento di memoria di 128 GB basatu annantu à i standard Universal Flash Storage (UFS) 2.0 o EMMC 5.1. In listessu modu, ancu i smartphones mid-range seranu avà capaci di aumentà a so capacità 128 GB grazia à u novu repository Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Stu chip di memoria hà a più grande capacità in u standard eMMC 5.0.
"Cù u lanciu di a nostra serie 3bit eMMC 5.0 basata in NAND, aspittemu di guidà a strada in l'espansione di u almacenamentu mobile di alta capacità. Cuntinuemu à sviluppà a nostra offerta di memoria mobile cù prestazioni migliurate è capacità più altu per risponde à a crescente dumanda di i clienti in l'industria di i telefoni cellulari ". disse Dr. Jung-Bae Lee, vicepresidentu anzianu di a squadra di pianificazione di produttu di memoria è ingegneria di l'applicazioni in Samsung Electronics.
Lettura sequenziale i dati di u novu almacenamentu 128GB eMMC 5.0 da Samsung corre à velocità 260 MB / s. Questa hè a stessa prestazione cum'è a memoria MLC eMMC 5.1 basata in NAND. Prestazione di lettura è scrittura casuale je IOPS 6000, rispettivamente IOPS 5000, chì hè abbastanza veloce per supportà video in alta definizione è funzioni multitasking avanzate. Comparatu à e carte di memoria esterne, queste velocità di lettura è scrittura sò circa 4 volte a 10 volte più altu.
A nova serie 3bit eMMC 5.0 espande l'affari di Samsung da furnisce SSD per centri di dati, servitori è PC à tuttu u mercatu di almacenamiento mobile. Samsung hà da cuntinuà à presentà e memorie Flash NAND 3-bit à traversu u sviluppu di suluzioni d'altu rendiment è d'alta capacità, è ancu di cuntinuà à rinfurzà a cumpetitività di a so attività di tecnulugia di memoria.
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