Samsung hà da vultà a so attenzione à u mercatu emergente di memoria MRAM (Memoria d'Access Random Magneto-Resistive) cù u scopu di espansione l'usu di sta tecnulugia à altri settori. Sicondu i media sudcoreani, u giant tecnulugicu spera chì i so ricordi MRAM truveranu a so strada in altri spazii chì l'Internet di e cose è l'AI, cum'è l'industria di l'automobile, a memoria grafica è ancu l'elettronica wearable.
Samsung hà travagliatu nantu à i ricordi MRAM per parechji anni è hà cuminciatu à pruduzzione in massa a so prima suluzione cummerciale in questa zona à a mità di 2019. I pruducia cù u prucessu 28nm FD-SOI. A suluzione avia una capacità limitata, chì hè unu di i svantaghji di a tecnulugia, ma hè stata appiicata à i dispositi IoT, chips di intelligenza artificiale è microcontrollers fabbricati da NXP. Coincidentamente, l'impresa Olandese puderia prestu diventà parti di Samsung, se u giant tech avanzerà cù una altra onda di acquisizioni è fusioni.
L'analisti stimanu chì u mercatu globale di i ricordi MRAM valerà 2024 miliardi di dollari (circa 1,2 miliardi di corone) per u 25,8.
Cumu i ricordi di stu tipu differenu da i ricordi DRAM? Mentre a DRAM (cum'è u flash) guarda dati cum'è una carica elettrica, MRAM hè una soluzione non volatile chì usa elementi di almacenamento magnetichi custituiti da dui strati ferromagnetici è una barriera fina per almacenà e dati. In pratica, sta memoria hè incredibilmente veloce è pò esse finu à 1000 volte più veloce di eFlash. A parte di questu hè perchè ùn hà micca bisognu di sguassà i ciculi prima di cumincià à scrive novi dati. Inoltre, hè bisognu di menu putenza cà i media di almacenamento convenzionale.
À u cuntrariu, u più grande disadvantage di sta suluzione hè a piccula capacità digià citata, chì hè unu di i mutivi per quessa ùn hà ancu penetru in u mainstream. Tuttavia, questu pò cambià prestu cù u novu approcciu di Samsung.
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