Samsung Electronics hà presentatu oghje a nova unità SSD Samsung 850 EVO, chì sò fabbricate cù a tecnulugia rivoluzionaria 3D V-NAND 3-bit. L'ultime unità di l'attellu di u capu di u mercatu di memoria offre un incrementu significativu in u rendiment è a resistenza in paragunà à i so predecessori, facendu adattati per l'usu in l'urdinatori ordinali. Pò esse un piacè per u nostru mercatu chì Samsung hà da principià à vende li dighjà stu mese in 53 paesi in Europa, Asia è ancu in USA.
A cumpagnia hà digià introduttu l'unità SSD Samsung 850 PRO in lugliu / lugliu di questu annu, chì usavanu a tecnulugia 2-bit 3D V-NAND, ma queste unità eranu destinate principarmenti à l'usu prufessiunale in l'urdinatori high-end o in picculi è medius. servitori corporativi. Tuttavia, l'ultime unità 850 EVO sò digià adattati per l'usu trà i cunsumatori ordinali, cum'è in notebooks è computer di ghjocu. Samsung dice chì i dischi Samsung 850 EVO seranu venduti in versioni 120GB, 250GB, 500GB è 1TB. I dischi anu una velocità di lettura di 540 MB/s è una velocità di scrittura di 520 MB/s.
A versione di memoria di 1 TB include ancu a tecnulugia TurboWrite, chì assicura una velocità di scrittura aleatoria finu à 90K IOPS, creendu un almacenamentu veloce per multitasking è volumi di dati grandi. Samsung assicura chì i so novi unità ponu sustene a scrittura di 80 GB di dati per ghjornu per 5 anni in mudelli cù 1 TB è 500 GB di capacità. A cumpagnia hà finalmente revelatu i so piani per u futuru è i piani di espansione a serie 850 EVO cù novi mudelli per i standard mSATA è M.2 l'annu dopu.
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